АНАЛИЗ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (НА ВТОРОЙ ГАРМОНИКЕ)
При попадании электромагнитной волны небольшой амплитуды на вход элемента, содержащего нелинейности (рис. 18), они становятся
источниками излучения на второй и высших гармониках.
Рис. 18. Эквивалентная схема детекторного приемника, образованного проводниками с индуктивностью /., емкостью С1, сопротивлением /?1 и нелинейностью — диодом 1/01
Из тригонометрии известно, что: со82(2тгу/) = (1 + со82у/); [Зсо83(2л:у/) + со8(2у/)], и т.д. Эффект наблюдается и в сегнетоэлект-риках с большой поляризуемостью. Потенциальная яма для электрона там сильно несимметрична. Поэтому сегнетоэлектрик со спонтанной поляризацией намного эффективнее преобразует частоту излучения, чем другие кристаллы.
То же наблюдается в полимерах, содержащих в своем объеме молекулы с нелинейно-оптическими хромофорами — они также обладают большой поляризуемостью. Проездные карточки для проезда в муниципальном транспорте можно также рассматривать как детекторный радиоприемнике рамочной антенной, образующей входной колебательный контур.
Любая электронная схема содержит совокупность вентилей, амплитудная характеристика которых имеет вид (рис. 19).
Рис. 19. Амплитудная характеристика вентиля
Таким образом, при проектировании устройств, содержащих микропроцессоры и микроконтроллеры, необходимо учитывать вторичное излучение от пассивных электронных схем.
