Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow Электронная техника.Ч.2 Схемотехника электронных схем

Самовозбуждающийся мультивибратор с коллекторно-базовыми связями и улучшенной формой импульсов

Для улучшения формы генерируемых импульсов в мультивибраторах, т.е. получения импульсов прямоугольной формы, применяют отсекающие, или развязывающие, цепи, выполненные на диодных ключах.

Принципиальная схема мультивибратора с улучшенной формой выходных импульсов представлена на рис. 11.57. Цепи заряда конденсаторов С1 и С2 с помощью диодных ключевых схем отсечены (изолированы) от коллектора транзистора — выхода схемы. Конденсатор С1 отделен от коллектора транзистора VT1 диодным ключом на элементах VD1 и R5, где R5 образует новую цепь заряда конденсатора, ранее проходившую через R2. Для конденсатора С2 служит диодный ключ из элементов VD2 и R6.

Принцип действия схемы с развязывающими цепями аналогичен принципу работы схемы, рассмотренной на рис. 11.55. Так же, как и в предыдущей схеме, в начальный момент времени, когда на 352

Принципиальная схема самовозбуждающегося мультивибратора с коллекторно-базовыми связями и развязывающими диодами для улучшения формы выходных импульсов

Рис. 11.57. Принципиальная схема самовозбуждающегося мультивибратора с коллекторно-базовыми связями и развязывающими диодами для улучшения формы выходных импульсов

эмиттерные переходы подано напряжение прямого смещения, равное UK, текут базовые токи 4l и 42- Благодаря им создается падение напряжения на базовых резисторах f/R] и UR4, которое создает обратное смещение на коллекторных переходах транзисторов и действует на RC-цепи, состоящие из элементов С2, R6, С1, R5. По законам функционирования RC-цепей в начальный момент времени все напряжение падает на резисторах R6 и R5. Напряжение на резисторах R6 и R5 действует как обратное смещение на диоды VD1 и VD2, что приводит к их закрытию и отключению коллекторов транзисторов от RC-цепей. В результате отсутствует напряжение на коллекторных резисторах R2 и R3 и на коллекторном переходе транзисторов не создается прямое смещение, которое создавалось в схеме без отсекающих диодов (см. рис. 11.55).

Таким образом, в схеме с развязывающими цепями на коллекторных переходах в начальный момент при включении напряжения источника питания действует только напряжение обратного смещения на коллекторные переходы транзисторов, что ускоряет экстракцию при достаточном накоплении носителей зарядов в базе транзисторов. В дальнейшем напряжения с базовых резисторов R1 и R4 поступают на конденсаторы, т.е. происходит их заряд.

Предположим, что в базе VT1 накопилось достаточно носителей зарядов для экстракции, что способствует протеканию коллекторного тока в транзисторе. Скорость нарастания тока /К1 велика, так как существует только напряжение обратного смещения, не зависящее от заряда конденсатора С1. Коллекторный ток 'К1 создает падение напряжения t/R2 на коллекторном резисторе R2, которое прикладывается через диод VD1 к RC-цепи, состоящей из элементов С1 и R5, и создает условия для разряда конденсатора С1. Одновременно с этим происходит подзаряд конденсатора С2 через резистор R6, а не через коллекторный резистор R3, что исключает прямое смещение на коллекторном переходе VT2. Ток разряда С1 увеличивает обратное смещение на коллекторном переходе ?/R4 транзистора VT2 и уменьшает прямое смещение на эмиттерном переходе этого транзистора. Из-за отсутствия напряжения на коллекторном резисторе R3 коллекторный переход транзистора VT2 находится только под обратным смещением, что также ускоряет закрытие транзистора VT2. Время закрытия транзистора VT2 также не зависит от времени заряда конденсатора С2, цепь которого отключена диодным ключом на VD2.

Следовательно, длительность переднего фронта положительного импульса (/j—12 на рис. 11.56, г) уменьшается практически мгновенно, что позволяет считать импульс по переднему фронту прямоугольным (длительность переднего фронта равна нулю, показана на рис. 11.56, г штрихами), так как процесс закрытия VT2 не зависит от заряда конденсатора С2, т.е. ток не проходит через коллекторную цепь транзистора. Аналогично работает и диодный ключ VD1 при заряде конденсатора С1.

На скорость открытия транзистора влияет то, что при открытии транзистора, предположим VT1, коллекторный ток /К1 протекает через параллельно включенные резисторы: коллекторный R2 и ключевой R5. При параллельном соединении резисторов резко снижается общее сопротивление цепи и возрастает коллекторный ток. Резкое возрастание коллекторного тока /К1 также вызывает скачок (возрастание) потенциала коллектора открытого и скачок (уменьшение) потенциала закрытого транзистора по цепи емкостной связи.

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы