Методика расчета параметрического стабилизатора напряжения с биполярным транзистором
Схема однокаскадного параметрического стабилизатора напряжения постоянного тока с биполярным транзистором, построенного по принципу деления напряжения, показана на рис. 4.15.
- 1. Выбирают тип стабилитрона VD1 (см. расчет однокаскадных параметрических стабилизаторов напряжения постоянного тока).
- 2. Уточняют выходное напряжение t/BbIX стабилизатора:
3. Определяют минимальное значение входного напряжения стабилизатора:
где UK3l min - минимальное напряжение коллектор - эмиттер транзистора VT1, UBxml - переменная составляющая входного напряжения, URlmax - максимальное напряжение на резисторе R1, приближенно равное максимальному напряжению на стабилитроне VD 2. Для германиевых транзисторов UK3lmin можно принять равным 2 ... 3 В, а для кремниевых транзисторов - 3 ... 5 В.
Стабилитрон VD 2 выбирают на возможно меньшее напряжение, приближенно равное 3 ... 5 В. Это необходимо для уменьшения входного напряжения ПСН. Из справочных данных определяют следующие параметры стабилитрона Ucr2 min, Uct2 тах, Imin, 1тах и rCT.
Амплитуда первой гармоники переменной составляющей входного напряжения ПСН приближенно равна:
Номинальное и максимальное значения входного напряжения ПСН
равны:
- 4. Определяют сопротивление резистора R1 по формуле Rri ^ Uс?2 min/(Jwmax 4" ^cti min)- Значение ICTi min должно оыть оольше минимального тока выбранного стабилитрона.
- 5. Определяют максимальный ток /к1 тах коллектора транзистора VT1
а так же максимальное напряжение UK3l тах коллектор-эмиттер транзистора VT1
Максимальную мощность Рк1, рассеиваемую на транзисторе VT 1, вычисляют по формуле:
По значениям UK3lmax, 1ктах и Л<1 выбирают транзистор VT1. Для этого типа транзистора из справочной литературы определяют минимальное и максимальное значения коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером h2l3Tnin и h21этах.
Максимально допустимую мощность Рк1 тах, рассеиваемую транзистором VT 1 без теплоотвода, вычисляют по формуле:
где Тпертах - максимальная температура коллекторного перехода; Rm - тепловое сопротивление р-n переход - окружающая среда. Затем проверяют выполнение неравенства Рк1 < PKimax.
Максимальный ток /б1 базы транзистора VT1 вычисляют по формуле:
6. Определяют сопротивление резистора R2 по формуле:
Значение 1^2 min должно быть больше минимального тока стабилитрона VD2.
7. Максимальные значения ТОКОВ 1СТ2тах и ^climax вычисляют по формулам:
Естественно, что полученные значения максимальных токов должны быть меньше предельных токов, указанных в справочных данных для выбранных стабилитронов.
- 8. Определяют значение сопротивления гасящего резистора Rr и коэффициент стабилизации выходного напряжения по входному напряжению Кц.
- 9. Внутреннее сопротивление проектируемого стабилизатора определяют так же, как и для ПСН, построенного по схеме, приведенной на рис. 4.7, б.
- 10. Значение амплитуды UBblxml первой гармоники переменной составляющей выходного напряжения рассчитывают из следующего выражения:
11. Коэффициент полезного действия т] параметрического стабилизатора напряжения находят по формуле:
где
12. Затем определяют максимальный ток I0max» потребляемый ПСН,