Проектирование изделий электронной компонентной базы с учетом анализа влияния космического излучения
ВВЕДЕНИЕСОВРЕМЕННЫЕ СРЕДСТВА АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И ИХ ВОЗМОЖНОСТИ ПО УЧЕТУ ВЛИЯНИЯ КОСМИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯВиды ионизирующих излучений в космическом пространстве и эффекты радиационного воздействия в комплементарных микросхемахВнешние воздействующие факторы космического пространстваИсточники ионизирующих излучений в космическом пространствеРадиационные эффекты в КМОП микросхемахАнализ текущего состояния средств автоматизации проектирования электронной компонентной базы космического назначенияАспекты моделирования воздействия излучения космического пространства на электронную компонентную базу. Постановка задачиСТРУКТУРА, МЕТОДИКА, ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ И ОБОСНОВАНИЕ ТИПОВЫХ БАЗОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ ВОЗДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА В САПР ДЛЯ СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ КМОП СБИСМетодика автоматизированного проектирования изделий электронной компонентной базы, стойкой к воздействию излучения космического пространстваСистемный уровеньФункционально-логический уровеньСхемотехнический уровеньСтруктура проблемно-ориентированного программного обеспеченияВыбор критериальных параметров к гамма-излучениюРасчет поглощенной дозы при воздействии ионизирующего излучения космического пространстваМОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В КМОП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭКБМоделирование накопления дозы в МОП - транзисторе при воздействии космического излучения низкой интенсивностиМетодология моделирования процесса радиационно- индуцированного накопления заряда в структуре диэлектрика МОП-транзистора с учетом влияния полевого окислаМоделирование процесса накопления заряда в области подзатворного диэлектрика транзистораПроцесс радиационно-индуцированного накопления заряда в подзатворном диэлектрике МОП-структуры при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излученияВыбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействииМоделирование процесса накопления поверхностных состоянийРасчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространстваСтатический режим работы транзистораДинамический режим работы транзистораАлгоритмическая основа расчета стойкости КМОП СБИС при воздействии факторов космического пространстваОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ, ИНТЕГРАЦИИ В СИСТЕМУ СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАЗРАБОТАННЫХ СРЕДСТВ САПРСтруктура, особенности построения разработанных средств и их интеграция в САПР для сквозного проектирования интегральных микросхемОценка точности и эффективности разработанных средств САПРМетодическое обеспечение и результаты практического использованияЗАКЛЮЧЕНИЕБИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКМЕТОДИКА ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ИС ПРИ ИХ ЭКСПЛУАТАЦИИ В ПОЛЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИОпределение коэффициентов аппроксимации для учета отжига ИС в ходе облучения под воздействием температурыОпределение коэффициента влияния малой мощностиОпределение коэффициента влияния R процессов облучения и старения
