МЕТОДИКА ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ИС ПРИ ИХ ЭКСПЛУАТАЦИИ В ПОЛЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИ
Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт»
- 1999
- 1. Назначение и область применения
Настоящий руководящий документ (РД) распространяется на полупроводниковые интегральные микросхемы (ИС) и устанавливает методы прогнозирования параметрической надежности ИС при их эксплуатации в полях ионизирующего излучения малой мощности с учетом температуры окружающей среды и электрических режимов работы ИС.
- 2. Определения
- 2.1. Надежность (Н) - внутреннее свойство ИС сохранять во времени в установленных пределах значения всех параметров, характеризующих способность выполнять требуемые функции в данных режимах и условиях применения, технического обслуживания, ремонтов, хранения и транспортирования.
- 2.2. Исправное состояние (ИСО) - состояние ИС, при котором она соответствует всем требованиям нормативно-технической документации.
- 2.3. Работоспособное состояние (РСО) - состояние ИС, при котором все параметры, характеризующие ее способность выполнять заданные функции, соответствуют нормативнотехнической документации. Однако в ИС, способной выполнять свои основные функции, в данном состоянии могут быть повреждения, не влияющие на ее электрические параметры.
- 2.4. Отказ (ОТ) - событие, заключающееся в нарушении работоспособного состояния.
- 2.5. Внезапные отказы (ВО) - отказы, возникающие за очень короткий промежуток времени, позволяющие говорить о мгновенном отказе и заключающиеся в прекращении функционирования, значительном изменении электрических параметров и т.п.
- 2.6. Дрейфовые отказы (ДО) - отказы, связанные с выходом электрических параметров за норму ТУ, происходящие за значительное время, соизмеримое со всем временем эксплуатации, транспортирования и хранения.
- 2.7. Параметрическая надежность (ПН) - составляющая надежности, которая из всех видов отказов рассматривает только дрейфовые отказы.
- 2.8 Параметр-критерий годности (ПКГ) - параметры, которые в наибольшей степени изменяются в ходе эксплуатации и которые выходят за норму ТУ в первую очередь.
Для разных технологий ИС такими параметрами являются:
- - биполярные: Uob Uoh, 1оь Ioz
- - КМОП: 1сс> СГоь Uoh> 1оь Ioz
- 2.9. Линия среднего значения ПКГ (СЗ) - линия на графике изменения ПКГ от времени, соответствующая изменению среднего значения ПКГ.
- 2.10. Статистические границы разброса ПКГ (СГ) - линии на графике изменения ПКГ от времени, соответствующие изменению СЗ ПКГ± За.
- 2.11. Линия критического значения ПКГ (ЛКЗ) - линии на графике изменения ПКГ от времени, соответствующие изменению СЗ ПКГ + 3 о или СЗ ПКГ - За в зависимости от того, откуда норма ТУ ограничивает ПКГ. Если норма ТУ ограничивает ПКГ снизу, то выбирается СЗ ПКГ - За, если сверху, то СЗ ПКГ + За.
- 2.12. Порог времени отказа (ПВО) - момент времени от начала эксплуатации ИС до момента, когда ЛКЗ ПКГ достигает нормы ТУ.
- 2.13. Кривая стабильности (50 %) - кривая зависимости числа ИС, у которых ПКГ не вышел за 50 % границу от среднего начального значения (в процентах к общему числу ИС в выборке) от времени. По оси абсцисс откладываются число ИС, у которых изменения параметров не превысили 50 % границу от среднего начального значения (в процентах к общему числу ИС в выборке), а по оси ординат - время эксплуатации. Если ПКГ ИС хотя бы раз пересекли 50 % границу от среднего начального значения, то такая ИС считается забракованной.
- 2.14. Нормальный режим эксплуатации - режим, соответствующий режиму ТУ при испытании на долговечность.
- 2.15. Форсированный режим эксплуатации - режим, отличающийся от режима ТУ при испытании на долговечность в части воздействия повышенной температуры окружающей среды и (или) повышенной электрической нагрузки.
- 3. Методология расчета
- 3.1. Цель расчета - рассчитать ПВО.
- 3.2. Для достижения поставленной цели рассчитываются:
обязательные характеристики расчета:
- - изменение СЗ ПКГ от времени;
- - изменение СГ ПКГ от времени;
из анализа полученных кривых вычисляется значение ПВО. информативные характеристики расчета:
- - кривая стабильности.
- - изменение статистического разброса ИС со временем;
анализ полученных кривых показывает статистический разброс параметров ИС
- 3.3. Изменение ПКГ от времени состоит из трех составляющих:
- - изменение ПКГ вследствие старения,
- - изменение ПКГ от облучения
- - изменение ПКГ от взаимодействия процессов старения и облучения.
- 3.4. Изменение ПКГ от старения
3.4.1. Изменение среднего значения ПКГ от старения описывается аппроксимационной функцией вида
где Уо - среднее начальное значение ПКГ,; а, b - параметры аппроксимации;
X - время.
Ку - коэффициент влияния температуры и электрического режима. Среднее начальное значение ПКГ определяется по формуле
где ^0 i - начальное значения параметра для i-ой ПС в выборке;
N - число ПС в выборке.
Значения параметров а и b вычисляются по формулам:
3.4.2. Изменение СГ определяется по формуле
где
3.4.3. Коэффициент влияния температуры и электрического режима представляется в виде
где кт - коэффициент влияния температуры;
Кэ - коэффициент влияния электрического режима.
3.4.4. Коэффициент влияния температуры определяется из соотношения
где Еа - энергия активации;
к - постоянная Больцмана;
Тперо, Тперф - температура кристалла (перехода) в нормальном и форсированном режимах соответственно.
Значение Еа определяется по формуле
где N1 - число механизмов отказа;
qi - весовой коэффициент i-ro механизма отказа;
Еа, - значение энергии активации для i-ro механизма отказа.
3.4.5. Значения энергии активации для отдельных механизмов отказов (Eaj) определяют экспериментально в соответствие с РД II0755-90 одним из следующих методов:
на основе параллельных испытаний выборок в различных режимах (метод 2—1); по накопленным данным (метод 2-2);
по результатам испытаний со ступенчато возрастающей нагрузкой (метод 2-3); по результатам электротермотренировки (ЭТТ) при ступенчато возрастающей нагрузке (метод 2-4);
Перечисленные методы изложены в приложениях 2-5 РД II0755-90.
3.4.6. При недостаточном объеме данных для определения q общий коэффициент рассчитывают по формуле
где Еамин и Еамакс - соответственно минимальное и максимальное значения энергии активации из диапазона наименьших значений для основных механизмов отказов.
3.4.7. Если энергию активации и механизмы отказов определить не удается, то значение обобщенной (средней) энергии активации выбирают из табл. 1. При этом, если Тперо, Тперф лежат в разных диапазонах температур (для которых в табл. 1 указаны разные значения энергии активации), то общий коэффициент равен произведению коэффициентов, рассчитанных для каждого диапазона в пределах Тперо, ТПерф по формуле (3.7).
Таблица 1
Группа ИС |
Значение средней энергии активации отказов при различных температурах кристалла (перехода), эВ |
|||
25-70 иС |
71-150 °С |
151-200 °С |
201-250 °С |
|
Биполярные цифровые ТТЛ |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
Биполярные цифровые ТТЛ-Ш, на p-МОП структурах |
0,3 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
на n-МОП структурах |
0,35 |
0,55 |
0,65 |
0,75 |
Значение ТПеро, ТПерф рассчитывают по формуле
где Тпер - температура перехода;
Токрср - температура окружающей среды;
Кпер-окрср - тепловое сопротивление переход - окружающая среда;
Р - мощность.
Мощность определяется произведением тока питания на напряжения питания.
3.4.8. Коэффициент влияния электрического режима определяется из соотношения:
где Кэш - коэффициент, зависящий от токовой составляющей.
Кэнап - коэффициент, зависящий от составляющей напряжения.
При воздействии на ИС форсированным током коэффициент равен
При форсированном напряжении питания коэффициент равен
где 1ф - величина тока потребления при эксплуатации ИС в форсированном режиме;
Jhom - величина тока потребления ИС, в соответствии с режимами ТУ;
СГссф - величина напряжения питания при эксплуатации ИС в форсированном
режиме;
Ucchom - величина напряжения питания ИС, в соответствии с режимами ТУ;
А, п - коэффициенты аппроксимации.
Коэффициенты аппроксимации определяются из РДII0755-90.
3.4.9. В случае отсутствия данных по изменению среднеквадратичного отклонения ПКГ со временем ее величина принимается равной
где анач - начальное значение среднеквадратичного отклонения;
Кпр - коэффициент приемки, который выбирается из табл. 2.
Таблица 2
вид приемки |
Система отбраковочных испытаний |
Кпр |
1 |
Полный комплекс отбраковочных испытаний в том числе 168ч ЭТТ |
0,1 |
2 |
Полный комплекс отбраковочных испытаний в том числе 72ч ЭТТ |
0,2 |
3 |
Полный комплекс отбраковочных испытаний но без |
0,5 |
4 |
Неполный комплекс отбраковочных испытаний, но с применением ЭТТ |
1,0 |
5 |
Неполный комплекс отбраковочных испытаний, без применения ЭТТ |
2,0 |
6 |
Без отбраковочных испытаний |
4,0 |
- 3.4.10. Если не известны все значения среднеквадратичного отклонения, то она принимается за 5 % от среднего значения ПКГ и умножается на коэффициент в соответствие с видов приемки изделий, который определяется из табл. 2.
- 3.5. Изменение ПКГ от облучения
3.5.1. Изменение среднего значения ПКГ от облучения описывается аппроксимационной функцией вида
где Yo - начальное значение ПКГ; с, d - параметры аппроксимации;
D - доза, равная D =М t; М - мощность; t - время;
Кмо - коэффициент влияния температуры и малой мощности.
Начальное значение ПКГ определяется по формуле
где ^01 - начальные значения параметра для Гой ПС в выборке;
N - число ПС в выборке.
Значения параметров с и d вычисляются по формулам:
3.4.2. Изменение СГ определяется по формуле
где
3.4.2. Коэффициент влияния температуры и малой мощности представляется в виде
где Ко - коэффициент влияния температуры;
Км - коэффициент влияния малой мощности.
3.4.3. Коэффициент влияния температуры определяется из соотношения
где t - время;
т- постоянная отжига;
С - параметр аппроксимации.
3.4.4. Значение топределяется по формуле
где Т - температура среды;
N - кратность воздействия температуры; то , А, В - коэффициенты аппроксимации.
Коэффициенты аппроксимации определяются для каждой ИС экспериментально с помощью метода, изложенного в прил. 1.
- 3.4.8. Коэффициент влияния малой мощности определятся для каждой ИС экспериментально. Методика его определения приведена в прил. 2. В случае невозможности провести испытания, определение осуществляется по формуле для наихудшего случая
- - в пределах мощности от 0.05 до 1Р/с:
где М - мощность;
- в пределах мощности от 0.05 до 0.01 Р/с:
где М -мощность;
3.4.9. В случае отсутствия данных по изменению среднеквадратичного отклонения ПКГ со временем ее величина принимается равной
где анач - начальное значение среднеквадратичного отклонения;
Кпр - коэффициент приемки, который выбирается из табл. 2.
- 3.4.10. Если не известны все значения среднеквадратичного отклонения, то она принимается за 5 % от среднего значения ПКГ и умножается на коэффициент в соответствии с видов приемки изделий, который определяется из табл. 2.
- 3.6. Изменение ПКГ от облучения и старения
3.6.1. Изменение ПКГ от облучения и старения описывается аппроксимационной функцией вида
где Yo - начальное значение ПКГ;
Уст - изменение параметра от старения, определяется в соответствие с п.3.4.
Yo6 - изменение параметра от облучения, определяется в соответствие с п.3.5.
R - параметр аппроксимации.
3.6.2. Коэффициент аппроксимации R определяется для каждой ИС экспериментально с помощью метода, изложенного в прил. 3. В случае невозможности провести испытания, то такие значения выбираются для наихудшего случая:
R=0,05 - для биполярных ИС;
R=0,08 - для К-МОП ИС.
- 3 7. Расчет информативных показателей поведения ИС.
- 3.7.1. Информативные показатели несут дополнительную информацию о степени статистического разброса параметров.
- 3.7.2. Информативными параметрами являются:
- - кривая стабильности.
- - изменение статистического разброса ИС со временем.
- 3.7.3. Для построения кривой стабильности вычисляется п - процент числа ИС, у которых ПКГ не вышел за 50 %-границу среднего начального значения ПКГ, из общего числа изделий. При этом, если у изделия хотя бы раз значение ПКГ превысило 50 % границу, то оно исключается из значения п.
3.7.4. Вычисление п осуществляется в виде зависимости значения п от времени. Результаты вычислений представляются в виде графика п от времени.
По виду этого графика определяют степень разброса ПКГ и судят о стабильности поведения ПКГ от времени.
3.7.5. Изменение статистического разброса представляет собой гистограммы распределения ПКГ для каждого момента времени эксплуатации ИС, выбранных через определенный произвольный шаг по времени.
В результате получается семейство гистограмм, полученных при разных значениях времени.
4. Методика проведения расчета
Методика проведения расчета включает в себя правила и методы проведения расчета с помощью специального комплекса программ USTIGR. Руководство оператора пользования этим комплексом приведено в прил. 4.
- 4.1. Начальный этап
- 4.1.1. Вначале оператор производит загрузку комплекса программ из операционной среды Windows.
- 4.1.2. Затем оператор вводит необходимые данные. Данные вводятся в 3 видах в зависимости от имеющейся информации. Первых вид предполагает наличие полной информации, второй ограниченный набор данных и третий - аппроксимация данных из тех значений, которые имеются в базе данных.
- 4.1.3. Полный набор данных включает в себя следующее:
- - фамилия оператора;
- - тема;
- - типономинал ИС;
- - тип технологии;
- - количество элементов на кристалле;
- - норма ТУ на соответствующий параметр;
- - температура эксплуатации ИС;
- - напряжение питания эксплуатации ИС;
- - ток потребления эксплуатации ИС;
- - вид отбраковочных испытаний;
- - вид воздействия радиации;
- - мощность воздействия радиации;
- - массивы значений ПКГ для всех ИС для каждого квантованного значения наработки;1
- - массивы значений ПКГ для всех ИС для каждого квантованного значения дозы; 2
- - данные, необходимые для определения постоянной отжига (массивы значений Т и U (прил. 1));
- - данные, учитывающие влияние мощности (массив значений W (прил. 2));
- - данные, учитывающие не аддитивность процессов естественного старения и облучения (массив значений R (прил. 3));
- - данные, необходимые для определения параметров вывода (графического, символьного, на принтер или монитор).
Примечание:
- 1 В результате вводятся М массивов N-размерности. М - число квантованных моментов времени наработки, при которых производились замеры ПКГ; N - число ИС в выборке.
- 2 В результате вводятся К массивов N-размерности. К - число квантованных значений дозы, при которых производились замеры ПКГ; N - число ИС в выборке.
- 4.1.4. Ограниченный набор данных включает в себя следующее:
- - фамилия оператора;
- - тема;
- - типономинал ИС;
- - тип технологии;
- - количество элементов на кристалле;
- - норма ТУ на соответствующий параметр;
- - температура эксплуатации ИС;
- - напряжение питания эксплуатации ИС;
- - ток потребления эксплуатации ИС;
- - вид отбраковочных испытаний;
- - вид воздействия радиации;
- - мощность воздействия радиации;
- - массив количества ИС вышедших за 50 % границу от наработки*;
- - массив изменения среднего значения ПКГ от наработки;
- - массив изменения среднеквадратичного отклонения от наработки*;
- - массив изменения среднего значения ПКГ от дозы;
- - массив по количеству ИС вышедших за 50 % границу от дозы*;
- - массив изменения среднеквадратичного отклонения от дозы*;
- - данные, необходимые для определения постоянной отжига (массивы значений Т и U (прил. 1));*
- - данные, учитывающие влияние мощности (массив значений W (прил. 2));*
- - данные, учитывающие не аддитивность процессов естественного старения и облучения (массив значений R (прил. 3));*
- - данные необходимые для определения параметров вывода (графического, символьного, на принтер или монитор).
Примечание: Данные отмеченные * являются необязательными и могут не вводится. В этом случае программа сама производит вычисления и определяет эти значения исходя из имеющейся в ней базе данных.
- 4.1.5. При аппроксимации данных оператор вводит следующее:
- - фамилия оператора;
- - тема;
- - типономинал ИС;
- - тип технологии;
- - количество элементов на кристалле;
- - норма ТУ на соответствующий параметр;
- - температура эксплуатации ИС;
- - напряжение питания эксплуатации ИС;
- - ток потребления эксплуатации ИС;
- - вид отбраковочных испытаний;
- - вид воздействия радиации;
- - мощность воздействия радиации;
- - параметры аппроксимации, которые аппроксимируют изменение ПКГ от наработки и дозы по значениям ИС с аналогичными технологическими характеристиками и количеством элементов1;
- - данные, необходимые для определения параметров вывода (графического, символьного, на принтер или монитор).
Примечание: 1 Аппроксимация может производиться
- - по одной ИС,
- - по нескольким ИС, выбранных оператором,
- - по всем ИС с аналогичной технологией и степенью интеграции;
- - по всем ИС с аналогичной технологией;
- - по всем ИС, имеющихся в базе данных.
При этом погрешность расчета в зависимости от принятой аппроксимации изменяется.
- 4.2.1. Проведение расчета производится с помощью комплекса программ US_TIGR автоматически.
- 4.2.2. Результаты расчета могут быть представлены в виде символьной информации (массива результатов).
- - изменение среднего значения ПКГ от времени,
- - среднего значения ПКГ + 3 ст от времени;
- - среднего значения ПКГ - 3 ст от времени;
- - кривой стабильности;
- - гистограмм распределения ИС в зависимости от времени.
- 4.2.3. Результаты расчета могут быть представлены в графическом виде.

- 4.3. Анализ результатов расчета
- 4.3.1. На основе информации, полученной в результате расчета, определяется момент времени, при котором ПКГ выходит за норму ТУ, что является ПВО.
Приложения