Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow Люминесценция полупроводниковых кристаллов

Люминесценция полупроводниковых кристаллов

Введение ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ ЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРА ТОЧЕЧНОГО ДЕФЕКТАЭлектронные состояния в реальном, полупроводниковом кристаллеВолновая функция электрона, связанного с примесным центромВодородоподобное приближениеСпектроскопия примесных переходов (поглощение и люминесценция)Учет индивидуальных свойств примесиЗонная схема кристалла. Гофрировка зон. Анизотропия эффективной массыМногодолинное расщеплениеАкцепторные состоянияПотенциал нулевого радиусаМетод квантового дефекта ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ ПРИМЕСЬ-ЗОНА С УЧАСТИЕМ ИЗОЛИРОВАННОГО ТОЧЕЧНОГО ДЕФЕКТАКоэффициент поглощения для переходов зона—примесь и примесь—зонаПолоса поглощения для переходов зона—примесь и примесь—зонаИзлучательные переходы зона—примесь и примесь—зонаПереходы примесь—зона в непрямозонных кристаллахСоотношение между сечением поглощения и сечением излучательного перехода (захвата) носителя на уровень примеси ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ПАРДискретность радиуса ДАП и энергия квантов излученияТип решеткиТипы замещенияУсловия наблюдения отдельных линийРезонансный захват носителей донорами и акцепторамиВлияние мультипольных моментов на энергию связи ДАП с малым радиусомВлияние прыжковой проводимости на излучение ДАПСкорость излучательной рекомбинации через ДАПНепрямозонный полупроводникСечение захвата носителя примесью, входящей в состав ДАПВлияние интенсивности возбуждения на спектр излучения ДАП ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СВОБОДНЫХ ЭКСИТОНОВ И ЭКСИТОННО-ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВФорма бесфононной линии и фононных повторенийЭкситонно-примесные комплексы. Основные типыУстойчивость ЭПКЭкситон, связанный на ионизированном доноре (акцепторе)Распад ЭПК на ионизированном донореЭкситон, связанный на нейтральном доноре (акцепторе )Поглощение и люминесценция ЭПКИнтенсивность спектральных линий ЭПКГигантская сила осциллятора в ЭПКЭПК е непрямозонном кристаллеТемпературное тушение линий ЭПК. Энергия связиСпектр кристаллов со слабым, расщеплением зон кристаллическим полемЭкситпон у изоэлектронной примесиЭкситон, связанный на двух дефектахОже-рекомбинацияМногоэкситонные комплексыОпределение типа центра, с которым связан экситонМагнитооптические исследования ЭПКИонизированная примесьКоллективные свойства экситоновБиэкситонСпектры поглощенияСпектры излученияЭлектронно-дырочная жидкостьФазовая диаграммаЭкспериментальные методы изучения ЭДЖ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ ТОЧЕЧНОГО ДЕФЕКТАИнтенсивность линий в оптическом, спектреТемпературная зависимость интенсивности бесфононных линий и фононных повторенийОднофононные переходыДвухфононные спектрыЛокальные колебания примесных центровПолуширина бесфононной линии ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ С ГЛУБОКИМИ ЦЕНТРАМИ (СТАТИСТИКА ШОКЛИ-РИДА)Литература
 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
РЕЗЮМЕ След >
 

Популярные страницы