Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow Электронные приборы и устройства

Статический режим включения полевого транзистора с изолированным затвором от канала и индуцированным каналом

Статический режим включения транзистора обеспечивает также работу транзистора в статическом режиме. Для создания статического режима работы транзистора необходимо во входную и выходную цепи транзистора включить источники питания.

Входной цепью в схеме включения полевого транзистора является электрическая цепь, ограниченная выводом от затвора и выводом от подложки, который может быть соединен с одним из выводов от канала (стока или истока) или с выводом от затвора в зависимости от схем включения транзистора (ОИ, ОС, 03).

На подложку можно подавать потенциал относительно выводов от истока, стока или затвора в зависимости от схем включения полевого транзистора. Для этого необходимо включать напряжение между выводами: подложка—исток — при схеме включения с ОИ (рис. 4.15, а), подложка—сток — при схеме включения с ОС (рис. 4.15, б), подложка—затвор — при схеме включения с 03

Схемы включения полевого транзистора с изолированным затвором от канала и индуцированным каналом в статическом режиме

Рис. 4.15. Схемы включения полевого транзистора с изолированным затвором от канала и индуцированным каналом в статическом режиме

(рис. 4.15, в). Тогда подложка будет выполнять задачу дополнительного управляющего электрода, т.е. дополнительного затвора.

В этих схемах между подложкой и затвором действует электрическое поле, которое может при указанной разности потенциалов создавать — индуцировать — канал. При таких способах включения подложки происходит наиболее интенсивный процесс создания канала и защитного (буферного) слоя между каналом и глубоким слоем подложки.

Схема с ОИ при таком включении подложки наиболее предпочтительна, так как возле истока накопившиеся заряды создают быстрее ток в канале при ^/си > 0. В схеме с ОС на подложку можно подавать напряжение и относительно истока, но в этом случае подложка будет действовать как дополнительный «нижний» затвор (управляющий электрод) только при условии |?/зс| > |?/ис|.

Однако подложку можно и не использовать как управляющий дополнительный электрод. Этот вариант показан на рис. 4.15, в, в схеме с 03, где вывод подложки соединен с затвором. При такой схеме включения подложки отсутствует электрическое поле между подложкой и затвором, что не способствует образованию защитного (буферного) слоя и замедляет процесс образования канала. Для ускорения процесса создания канала в схеме включения транзистора с 03 необходимо вывод подложки соединить с истоком (на рис. 4.15, в, показано штрих-пунктирами). При таком включении напряжения в схеме с 03 между выводами подложки и затвора действует электрическое поле, которое при указанной разности потенциалов может создавать — индуцировать — канал, что способствует наиболее интенсивному процессу создания канала и защитного (буферного) слоя между каналом и глубоким слоем подложки.

В любом варианте включения подложки в схеме с 03 должно выполняться соотношение напряжений U^ > ?/из . В любой из схем включения полевого транзистора (ОИ, ОС, 03) данного типа можно применять любой способ подключения подложки для управления работой транзистора как дополнительным электродом, но при этом необходимо учитывать соотношение напряжений затворного (U3) и стокового, т.е. на канале (Uc).

Выходной цепью полевого транзистора является электрическая цепь, ограниченная выводами исток—сток в схеме с ОИ (рис. 4.15, а), сток—исток — в схеме с ОС (рис. 4.15, б), сток—затвор — в схеме с 03 (рис. 4.15, в).

В статическом режиме в любой схеме включения транзистора (ОН, ОС, 03) постоянное напряжение смещения UCM (затворное U3) обеспечивает получение определенной ширины канала и сопротивления

Ur

канала (R), а также определенного тока стока I =——, на величину

L R.

i

которого также влияет напряжение на канале Uc. Например, для схемы с ОН (рис. 4.15, а) напряжение смещения (/см (затворное (Лил) обеспечивает получение определенной ширины и сопротивле-

U

ния канала (/?си) и тока стока = СИ • Минимальное затворное

^си

напряжение, при котором возникает канал, называют пороговым напряжением, например в схеме с ОН это напряжение (/зи пор.

В зависимости от схемы включения транзистора затворное напряжение обозначается (/зи (в схеме с ОИ), (/зс (в схеме с ОС), (/из (в схеме с 03). Обозначение напряжения на канале ((/с) также зависит от схемы включения транзистора (/си в схеме с ОИ (рис. 4.15, а), (/иг — в схеме с ОС (рис. 4.15, б), Urо — в схеме с 03 (рис. 4.15, в).

При изменении типа электропроводности канала и подложки изменяются только полярность приложенных напряжений и направление тока /с.

Основными принципами построения схем включения транзистора с индуцированным каналом являются условия создания канала при включении напряжения (/3: это напряжение должно способствовать обогащению поверхностного слоя подложки между истоком и стоком носителями зарядов, равнозначными областям истока и стока (в схемах на рис. 4.15 носители зарядов — электроны, так как транзистор с каналом я-типа). Это обеспечивается при данной структуре транзистора подачей на затвор положительного потенциала.

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы