Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ПРИ БОЛЬШОМ СМЕЩЕНИИ

Исследования, представленные в предыдущем разделе, основаны на ряде предположений, включая инжекцию низкого уровня во всех трех объемных областях прибора и отсутствие любого процесса генерирования носителей, кроме теплового. Эти предположения делают начальную модель БТ законной в относительно узком диапазоне напряжений смещения и выходных токов. Пересмотрим эту модель, чтобы определить реакцию прибора на воздействие при большом смещении. В этом разделе проанализируем наиболее существенные эффекты при большом смещении и предскажем их влияние на выходные характеристики прибора.

Сопротивление базы и смещение эмиттерного тока к краю эмиттера

В предыдущем разделе при моделировании БТ было сделано предположение о незначительных падениях напряжения на всех объемных областях прибора из-за небольших токов, протекающих через них. Как можно понять из соотношения (2.11), это предположение неверно при более высоких уровнях плотности тока. Однако для объема эмиттера, длина которого весьма мала, а концентрация легированных носителей очень высока, потребуется неоправданно высокая плотность тока эмиттера, чтобы получить заметное падение напряжения на объеме эмиттерной области. Поэтому основное предположение о незначительном падении напряжения на объеме эмиттера может быть оправдано практически для любых уровней напряжения смещения.

В этом отношении объем коллектора значительно отличается от объема эмиттера, длина его самая большая, а концентрация легирования самая низкая среди всех объемных областей прибора. Существенное падение напряжения на объеме коллектора можно получить при относительно низких уровнях плотностей тока коллектора, что приводит к значительному отклонению режима работы БТ от рассмотренного выше.

Область базы имеет средний уровень концентрации легирования, по ней течет незначительный базовый ток основных носителей базы, длина которой невелика; однако этот ток течет поперек базы и по очень узкой площади. Это приводит к заметному падению напряжения в поперечном направлении, которое, в свою очередь, может значительно изменять работу прибора при высоких уровнях напряжения смещения и, как следствие, при больших уровнях эмиттерного тока.

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы