Физическое обоснование сопротивления базы

Из раздела 2.2.5 известно, что JрЕ - доминирующая составляющая тока

базы в прямом активном режиме работы транзистора. Как показано на рис. 2.12, этот ток переносит дырки от контакта базы в активную область базы.

Пассивная область базы, которая расположена между точками В и В', имеет достаточно большую площадь в поперечном сечении, через которую проходит ток 1В, и поэтому плотность тока в этой области мала. Учитывая относительно высокую концентрацию легирования базы, можно считать, что сопротивление пассивной части (расположенной между контактными площадками базы и эмиттера) базовой области мало, однако, как только дырки входят в активную (расположенную под эмиттером) область базы, их путь ограничивается очень узкой поперечной площадью, плотность тока повышается, следовательно, увеличивается и падение напряжения в поперечном направлении между точками В' и В", причем внутреннее смещение поперек перехода ЕВ в точке В' становится больше, чем в точке В". Поскольку ток коллектора является в основном результатом инжекции электронов из эмиттера в базовую область JnB, а его плотность - экспоненциально увеличивающаяся функция напряжения база- эмиттер, то потенциальная неоднородность внутреннего смещения поперек перехода делает JnB больше в точке В', чем в точке В", т. е. происходит смещение эмиттерного тока к краю эмиттера. Разумеется, чем больше ток базы, тем значительнее поперечное падение напряжения на активной базе и, таким образом, большее накопление JnB на ближней к базовому контакту стороне активной базы.

Прохождение тока дырок в области базы БТ

Рис. 2.12. Прохождение тока дырок в области базы БТ

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ   ОРИГИНАЛ     След >