Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов

Ионизационное воздействие, лавинное умножение и пробой перехода коллектор-база

Физическое обоснование лавинного умножения

Ионизационное воздействие, эффект лавинного умножения и их последствие - пробой перехода могут наблюдаться в обратно смещенных переходах, например, переходе СВ транзистора при прямом активном режиме работы. Рассмотрим обратно смещенный переход СВ, схематически изображенный на рис. 2.22. Неосновные носители объемных областей базы и коллектора движутся через переход, суммируясь там с носителями, которые генерируются термически в области самого перехода и которые дрейфуют в объемные области, становясь там основными носителями. Если происходит увеличение обратного напряжения на переходе Vcb, то рост электрического поля в области перехода увеличивает их скорость и, следовательно, энергию носителей в переходе. Любой носитель, приобретая достаточное количество энергии, ионизирует кремниевый атом при столкновении, создавая дополнительную пару электрон-дырка, прежде чем покинуть область перехода.

Переменные, включаемые в анализ воздействия ионизации, лавинного умножения и пробоя перехода

Рис. 2.22. Переменные, включаемые в анализ воздействия ионизации, лавинного умножения и пробоя перехода

Этот процесс называется ионизационным воздействием. Электрон и дырка, дрейфуя каждый к своей области, приобретают достаточную энергию чтобы вызвать новое ионизационное воздействие, прежде чем выйти из области перехода. Это приводит к лавинному умножению (нарастанию) носителей в области перехода. Следовательно, ток коллектора становится увеличивающейся функцией от напряжения на переходе коллектор-база, в конечном счете темп изменения 1С от VCB достигает бесконечности, что вызывает пробой перехода.

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы