Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов

Квазистатический режим работы БТ

Зарядоуправляемое моделирование эмиттера

На рис. 2.25 показаны общие предположения, принятые для создания зарядоуправляемой модели БТ [2.13]. Начнем с интегрирования зависимого от времени уравнения непрерывности для электронов (1.24) между х = 0 и х =х[. Заранее оговариваем незначительную генерацию и рекомбинацию в основной области эмиттера и в области перехода ЕВ, также игнорируем малое изменение во времени электронной плотности на единицу площади в области перехода. С учетом перечисленных допущений получаем

где А - площадь эмиттера.

Как следует из рис. 2.25, in(0)=iE-ip(0), а пЕ =NE+nE=NE+pE, поскольку это есть условие квазинейтральности основной части эмиттерной области. Учитывая это, можем переписать уравнение (2.136) в виде

где

Зависимые от времени переменные и принятые допущения, используемые для создания зарядоуправляемой модели

Рис. 2.25. Зависимые от времени переменные и принятые допущения, используемые для создания зарядоуправляемой модели:

хх - х[ - переход ЕВ; х2- х'2 - переход СВ

является общим зарядом избыточных дырок в объемной части эмиттера 72- типа. Рассмотрим поток дырок в эмиттере ip (0). Будучи неосновным током,

он течет за счет диффузии носителей, т. е. ip(0) = -AeDpE • Как показано

на рис. 2.25, р'Е сохраняет линейную конфигурацию в результате квазистати- ческого допущения. Следовательно,

Используя линейный хараткер образования дырок в эмиттере, можно записать (2.138) в виде

Находя из этого уравнения р'Е(х{) и подставляя его в уравнение (2.139), получаем

где

есть временная константа.

Рассмотрим третий член справа в уравнении (2.137). При выборе числа

Гуммеля для эмиттера из уравнения (2.73) выражаем этот член как Ае —*- ],

dt )

где G'e может изменяться со временем, поскольку граница х[ есть функция зависимого от времени напряжения база-эмиттер, прикладываемого к переходу. Но G'e=Gem-Geb, где Gem - независимое от напряжения число Гуммеля эмиттера, a GeB - концентрация примеси на единицу площади области перехода со стороны эмиттера, зависящая от напряжения, прикладываемого к переходу. Тогда должно равняться ^еВ . Кроме того, Geb=Gbe, так как

dVEB dVEB

заряд по обеим сторонам области перехода имеет одну и ту же величину. Поэтому третий член справа в уравнении (2.137) может быть выражен как

dVЕ'D

С • ——, где С je определяется как

J dt J

и называется барьерной емкостью перехода ЕВ. Подставляя в уравнение (2.137) уравнения (2.141) и (2.143), получаем

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы