Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов

Определение теплового сопротивления мощного ПТШ

Тепловое сопротивление ПТШ, необходимое для учета саморазогрева и температуры среды при расчете ВАХ и элементов ЭС ПТШ, определяется расчетным или экспериментальным путем. Простой и достаточно точный инженерный метод расчета тепловых сопротивлений мощных транзисторов на основе метода упрощенных тепловых эквивалентов (УТЭ) (рис. 4.28) с модификацией его расчетных формул и способа построения УТЭ для многослойных пластин изложен в работе Ю.Н. Ракова [4.33]. Этот метод не учитывает конвекцию и излучение тепла и справедлив в случае стационарного источника тепла. Погрешность расчета RT по этой методике составила 8,0... 18,7 %.

Коэффициент теплопроводности полупроводника X, определяющий тепловое сопротивление транзистора, сильно зависит от температуры, что необходимо учитывать при расчете ВАХ и ЭС ПТШ с учетом саморазогрева и температуры окружающей среды

Сечение упрощенного теплового эквивалента многоштыревой структуры в кристалле толщиной L в плоскостях xz (а) и yz (б), где п - количество штырей

Рис. 4.28. Сечение упрощенного теплового эквивалента многоштыревой структуры в кристалле толщиной L в плоскостях xz (а) и yz (б), где п - количество штырей

затвора

На рис. 4.29 представлено сравнение экспериментальных зависимостей А,(Т) для и-GaAs при Nk =1,0*10 см и результатов применения аппроксимационной формулы А.Л. Захарова и Е.И. Асвадуровой и формулы (4.135), предлагаемой Ю.Н. Раковым:

Анализ построения УТЭ ПТШ показал, что более правильным будет использование аппроксимации для кривой с Nk =1,0-1017см-3, так как основную часть УТЭ занимает /-GaAs.

Во входных данных программы задается значение теплового сопротивления, пересчитанное по коэффициенту теплопроводности GaAs Х(300):

где Ц7^.) и Ят(Тк) - коэффициент теплопроводности и тепловое сопротивление, соответствующие температуре в канале, при которой измерено значение RT .

Сравнение экспериментальных данных и результатов использования различных аппроксимаций в расчете зависимости коэффициента теплопроводности «-GaAs (Nk = 1,0 -10 хм) от температуры

Рис. 4.29. Сравнение экспериментальных данных и результатов использования различных аппроксимаций в расчете зависимости коэффициента теплопроводности «-GaAs (Nk = 1,0 -10 хм-3) от температуры

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы