Спиральные индуктивности

Микрополосковая реализация спиральных индуктивностей круглой и прямоугольной формы и эквивалентная схема их показаны на рис. 6.10.

Спиральные индуктивности круглой (а) и прямоугольной (б) формы

Рис. 6.10. Спиральные индуктивности круглой (а) и прямоугольной (б) формы

и их эквивалентная схема (в)

В копланарном исполнении МИС спиральные индуктивности (см. рис. 6.10) размещают в выбранный квадрат в заземляющей металлизации.

Встречно-штыревой конденсатор

Реализация конденсатора в виде встречно-штыревой конструкции и его эквивалентная схема представлены на рис. 6.11. Встречно-штыревой конденсатор позволяет реализовать емкости менее 0,5 пФ.

Реализация конденсатора встречно-штыревой конструкции (а) и его эквивалентная схема (б) [6.3]

Рис. 6.11. Реализация конденсатора встречно-штыревой конструкции (а) и его эквивалентная схема (б) [6.3]

Конденсатор металл - диэлектрик - металл

Реализовать емкости в широком диапазоне значений можно, применяя конденсатор конструкции металл - диэлектрик - металл (оверлей-тип) (рис. 6.12), используя диэлектрические пленки с толщинами t = 0,2...0,5 мкм с различным значением ег. Широко применяются пленки SiC>2 (ег = 5...6), Si3N4 г = 6...7) и ТагОб (sr = 25...30). На рис. 6.12, а показаны две реализации соединения с верхней обкладкой конденсатора: в виде оверлея и в виде воздушного мостика. Конкретный вид соединения зависит от способа получения диэлектрических пленок: для пиролизного способа применяется верхний тип соединения, а для стимулированного плазмой нанесения - нижний, в виде воздушного мостика. На рис. 6.12, б представлена эквивалентная схема МДМ- конденсатора.

Конструкции МДМ-конденсаторов (а) и их эквивалентная схема (б) [6.2]

Рис. 6.12. Конструкции МДМ-конденсаторов (а) и их эквивалентная схема (б) [6.2]

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ   ОРИГИНАЛ     След >