Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов

ВЫВОД

Рассмотрены примеры создания широкополосных и узкополосных монолитных СВЧ-схем, преимущественно усилителей мощности диапазонов частот от L до G (от 1 до 500 ГГц), используемых в различных сферах деятельности, и их характеристики для всех рассмотренных в главах 2-5 типов транзисторов: биполярных транзисторов на кремнии, МОП-полевых на кремнии, арсенид- галлиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки и различных гетеро- структурных полевых транзисторов на арсениде галлия и фосфиде индия. Показано, что среди рассмотренных типов транзисторов наибольшие выходную мощность, КПД и коэффициент усиления обеспечивают во всех рассмотренных диапазонах частот гетероструктурные полевые транзисторы на GaAs, особенно псевдоморфные полевые транзисторы на GaAs. Достижения в технологии изготовления этих транзисторов и создание гетероэпитаксиальных структур современными методами (МЛЭ и MOCVD) позволили существенно улучшить параметры ранее созданных типов транзисторов БТ и МОП-ПТ на кремнии и получить УМ в диапазоне частот W и, таким образом, расширить перспективы применения кремния на ближайшие 15-20 лет, как наиболее распространенного и дешевого полупроводникового материала.

Появившиеся в конце XX века гетероструктурные биполярные транзисторы на гетеропереходах Si/Ge/Si и особенно полевые транзисторы на широкозонном гетеропереходе AlGaN/GaN, уже сейчас способные обеспечить удельную выходную мощность ПТ Руд = 30...40 Вт/мм в Х/Ки-диапазоне частот, открывают новые перспективы развития СВЧ-твердотельной электроники.

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ ОРИГИНАЛ   След >
 

Популярные страницы