Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и

КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИПараметры и классификация кристаллических решётокЭнергетические зоны кристаллических структурЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВЗадача о распределении потенциалов в объёме кристаллаКинетическое уравнение Больцмана и диффузияЗакон ФикаОбщее решение кинетического уравненияОсновные механизмы, описывающие кинетические эффекты при переносе энергии носителей в объёме кристаллаМетод моментовДрейфово-диффузионная модельГидродинамическое приближениеЭнергетический транспорт носителей зарядаМетоды расширенияРасширение по типу сферических гармоникДругие виды расширения и их примененияМетоды, основанные на корпускулярных понятиях (метод частиц)Метод Монте-КарлоФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЙ МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ УРАВНЕНИЙ СОХРАНЕНИЯ И ИХ АНАЛИЗОсновные приближения и граничные условияВарианты уравнений сохранения в разных частотных диапазонахКвазимикроскопическая постановка нелинейной задачи при учете одного механизма рассеянияФеноменологические уравнения колебаний подвижности и скорости дрейфа при сложном механизме рассеянияИССЛЕДОВАНИЕ ВКЛАДА ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ВЫХОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ГОРЯЧИМИ НОСИТЕЛЯМИОсновные соотношения для кинетической диффузионной моделиМетоды описания микроскопических флуктуаций и диффузииСпектральная плотность флуктуации тока и коэффициент диффузииМеждолинная и генерационно-рекомбинационная диффузияШумовая температура и парные столкновенияЭкспериментальные методы измерения коэффициента диффузии горячих электроновИзмерение расплывания первоначально локализованного пакета электроновИзмерение спектральной плотности флуктуаций токаИзмерение СВЧ-шумовИзмерение ВЧ- шумовЭффекты, в которых проявляется диффузионный токОпределение коэффициента амбиполярной диффузии по расширению электронно-дырочного газа в полупроводникеТрёхуровневая модель стационарного коэффициента диффузииЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ НОСИТЕЛЕЙ ДЛЯ НЕКОТОРЫХ СЛУЧАЕВ ДИСПЕРСИИ В РАЗЛИЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХСпособы учёта энергозависимости эффективной массы горячих носителей в объёме полупроводников типа AmBvВыходные объёмные параметры полупроводников типа AmBvДрейфово-диффузионная модель процессов переноса и частотных преобразований в объёме полупроводников при воздействии сильных электрического и магнитного полейЗАКЛЮЧЕНИЕСПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
 
  РЕЗЮМЕ   След >